接觸式測厚儀TOF-4R05在半導體芯片薄膜上的運用

發布日期：2024-07-01      瀏覽次數：851

接觸式測厚儀TOF-4R05在半導體芯片薄膜上的運用

在半導體制造業中，薄膜的厚度對器件的性能和質量有重要影響。在制造過程中，晶圓要進行多次各種材質的薄膜沉積，因此薄膜的厚度及其性質（如折射率和消光系數）需要準確地確定，以確保每一道工藝均滿足設計規定。

光學薄膜測量設備的光譜測量方式主要分為橢圓偏振和垂直反射兩種。在橢圓偏振方式下，光源發出的光經由起偏器、光學聚焦系統，以一定的角度入射圓片，經過表面膜層和硅襯底反射的光學系統和起偏器，由光譜儀接受。通過對膜厚和薄膜光學常數等變量進行回歸迭代逼近，使計算光譜和實測光譜吻合，最終所得到的迭代值即為所測薄膜的厚度和光學常數。






模型	TOF-4R05
測量方法	接觸式/線性規/夾緊方式
測量目標	薄膜、片材
測量原理	線性規/夾緊法

產品特點

• 輕松快速的離線厚度測量

• 測量數據實時顯示在屏幕上

• 測量數據還可以自動保存到您的計算機中。

• 由于測量是自動進行的，因此測量數據不存在個體差異。

• 雷達圖也可用于調整吹塑薄膜。

• 由于采用夾層法進行測量，因此即使是有卷曲等的厚紙也可以測量。

產品規格

測量厚度	0.03～3mm
測量長度	10～10000mm
測量間距	1毫米~
最小顯示值	0.5微米
測量壓力	0.6±0.1N
電源電壓	AC100~240V 50/60Hz
工作溫度限制	5～40℃
濕度	35-80%（無冷凝）
能量消耗	50 VA（不包括電腦）
選項	?卷紙打印機輸出功能 ?0.1mm間距測量功能 ?連續測量功能 ?各專用探頭 ?圖像轉印功能 ?壓紙機構 ?輸送速度顯示