關(guān)于磁控濺射設(shè)備MSP-40T靶材分析

發(fā)布日期：2024-12-12      瀏覽次數(shù)：731

關(guān)于磁控濺射設(shè)備MSP-40T靶材分析

本設(shè)備是一種多用途、操作簡便的磁控濺射薄膜沉積設(shè)備。這是一種小型桌面型設(shè)備，占用空間小，能夠利用強磁場形成各種金屬的薄膜。
由于涂層是在低電壓下進行的并且樣品是浮動的，因此可以將對樣品的損壞保持在低限度。
通過觸摸屏操作配備配方功能。我們已經(jīng)通過序列控制實現(xiàn)了全自動濺射成膜。

該產(chǎn)品附帶設(shè)備本身和隔膜泵。需要氬氣和冷卻水循環(huán)設(shè)備，因此請檢查公用設(shè)施。

我們還可以為您準(zhǔn)備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)。
該設(shè)備需要安裝和操作說明。



關(guān)于 MSP-40T 基本實用程序

該設(shè)備需要氬氣和冷卻水循環(huán)系統(tǒng)來冷卻靶材。請?zhí)崆皺z查設(shè)施。

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關(guān)于MSP-40T靶材

除了器件本身之外，還需要目標(biāo)金屬。請單獨訂購。
該設(shè)備標(biāo)配一個厚度為 3mm 的目標(biāo)支架。
對于不同厚度的靶金屬，需要對應(yīng)每種類型的靶支架。
使用貴金屬靶材時，必須與削弱磁場力的鎳板結(jié)合安裝。
請務(wù)必了解使用現(xiàn)有目標(biāo)時的注意事項。

目標(biāo)金屬和目標(biāo)保持信息
[t=3mm]
　Al、Cu、Mo、Ti、Ta、W、SUS 等

[t=2mm]
　Cr、W、Co、Ge、Si、Zr 等

[t = 1mm]
　Fe、Ni、C、W、Mo、Ti、Cr、Ta、Zn 等
　ITO（背板 t=1mm + ITO t=2mm）
　Pb (背板 t = 1mm + Pb t = 1mm)
　Sn (背板 t = 1mm + Sn t = 1mm)
　貴金屬靶 t = 0.5mm (Au、Pt、Au-Pd、Pt-Pd、Ag、Pd)
　*對于貴金屬目標(biāo)需要一套磁場消除板。
　*類型和厚度僅為示例。

*MSP-40T僅適用于導(dǎo)電金屬材料。
*對于絕緣體和氧化物的濺射，請考慮使用射頻濺射設(shè)備。

MSP-40T 可選零件清單

如果您想提出請求，請聯(lián)系我們的銷售辦事處。



目標(biāo)支架 [t=2mm 時]



目標(biāo)支架 [t=1mm 時]



貴金屬靶材磁場消除板

金屬靶

*有關(guān)各種金屬靶材的信息，請聯(lián)系我們。

MSP-40T 設(shè)備規(guī)格




物品	規(guī)格
電源	AC100V（單相100V）3芯插頭帶15A地線
設(shè)備尺寸	寬504mm，深486mm，高497mm （設(shè)備重量37.7kg）
隔膜泵	寬170mm，深287mm，高173mm （重6.5kg）
真空排氣系統(tǒng)	渦輪泵（TMP）：67?/秒 （直接連接到設(shè)備內(nèi)置的腔室） 隔膜泵（DFP）：20?/分鐘 （放置在設(shè)備外部，連接管，重量 6.5kg）
極限 真空測量	1x10-4Pa以下 全量程真空計
操作面板	觸摸屏操作顯示 最多可注冊20個配方
腔室尺寸	內(nèi)徑178mm，深度159mm不銹鋼腔體
樣品臺尺寸	直徑50mm（陽極電極分離浮動法）
電極-樣品臺距離	115mm、95mm、70mm （含不同高度樣品臺）
目標(biāo)金屬	ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、碳（使用磁場消除鎳板） 、Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd等貴金屬靶材, 鈀, 銀其他