日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S產品介紹

發布日期：2025-11-10      瀏覽次數：195

日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S是一款專為精密薄膜制備設計的高性能實驗級設備，憑借日本shinkuu在真空鍍膜領域多年的技術積淀，該設備融合了先進的磁控濺射技術與人性化的操作設計，能夠為材料科學、電子工程、光學工程等領域的科研及小規模生產提供穩定、高效的薄膜沉積解決方案，廣泛應用于高校實驗室、科研機構及高中端制造企業的研發環節。

一、核心技術原理

MSP-1S基于磁控離子濺射技術原理，通過在真空腔體內建立正交的磁場與電場，使氬氣等工作氣體在電場作用下電離產生等離子體。等離子體中的正離子在電場加速下高速轟擊靶材表面，通過動量轉移使靶材原子或分子脫離靶材表面并沉積在基底上，形成均勻、致密的薄膜。相較于傳統濺射技術，其獨特的磁控結構可有效約束電子運動軌跡，延長電子與氣體分子的碰撞概率，顯著提高等離子體密度，進而提升濺射速率與薄膜質量，同時降低基底溫度升高帶來的材料損傷風險。

二、關鍵性能參數

MSP-1S的性能參數經過精準調校，確保了設備的穩定性與適用性，核心參數如下：

1. 真空系統：采用高效復合真空抽氣系統，包括機械泵與分子泵（或擴散泵），可快速實現真空腔體內真空度達到5×10?? Pa以下的高真空環境，有效減少氣體雜質對薄膜沉積的影響，保障薄膜純度。

2. 靶材配置：支持多種靶材類型，包括金屬（如金、銀、銅、鋁、鈦等）、合金（如不銹鋼、鈦合金等）及部分陶瓷靶材，靶材尺寸適配φ50mm×3mm等常規規格，可根據實驗需求快速更換靶材，滿足不同薄膜材料的制備需求。

3. 濺射功率：采用直流濺射電源，功率調節范圍為0-100W，支持連續可調，可根據靶材特性及薄膜厚度要求精準控制濺射速率，實現從納米級到微米級不同厚度薄膜的精確制備。

4. 基底臺設計：配備可旋轉基底臺，旋轉速度0-10rpm可調，確保基底各區域薄膜沉積均勻性；基底臺支持室溫至300℃加熱功能（可選配），可滿足不同材料沉積過程中對基底溫度的特定要求，提升薄膜與基底的結合力。

5. 腔體規格：真空腔體有效容積約3L，結構緊湊，便于維護與清潔；腔體內配備觀察窗，可實時觀察濺射過程，方便實驗人員監控實驗進度。

6. 控制方式：采用PLC控制系統，搭配7英寸觸控操作屏，界面簡潔直觀，可實現真空抽氣、濺射功率調節、基底旋轉及加熱等參數的一鍵式設置與實時監控，同時支持實驗參數存儲與調用功能，便于重復實驗。

三、主要應用領域

MSP-1S憑借其靈活的配置與穩定的性能，在多個領域展現出廣泛的應用價值，核心應用場景包括：

1. 材料科學研究：用于制備金屬薄膜、合金薄膜、陶瓷薄膜等，研究薄膜的結構、成分與力學、電學、磁學等性能之間的關系，為新型材料研發提供基礎實驗支持。

2. 電子器件制備：可用于制備電子器件中的電極薄膜、導電薄膜及絕緣薄膜，如半導體芯片中的金屬電極、柔性電子器件中的透明導電薄膜等，滿足電子器件微型化、高精度的制備要求。

3. 光學薄膜制備：用于制備增透膜、反射膜、濾光膜等光學薄膜，應用于光學鏡頭、顯示器、太陽能電池等光學器件，提升器件的光學性能。

4. 生物醫學領域：在醫用材料表面沉積抗菌薄膜、生物相容性薄膜等，改善醫用材料的表面性能，提升其生物安全性與使用壽命，如人工關節表面涂層、醫用導管表面改性等。

5. 樣品表征輔助：為掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線光電子能譜（XPS）等表征設備制備樣品導電層，解決非導電樣品在表征過程中的電荷積累問題，提升表征結果的準確性。

四、產品核心優勢

1. 高薄膜質量：先進的磁控濺射技術與高真空系統結合，確保制備的薄膜具有均勻性好、致密性高、純度高的特點，滿足高精度實驗與研發需求。

2. 操作便捷性：觸控屏操作與PLC控制系統簡化了實驗流程，即使是新手操作人員也能快速上手，同時參數存儲功能提升了實驗的可重復性。

3. 靈活適配性：支持多種靶材與基底類型，可搭配加熱、旋轉等可選功能，能夠根據不同實驗需求進行靈活配置，適配多場景應用。

4. 緊湊耐用：設備結構緊湊，占用空間小，適合實驗室有限空間布局；核心部件采用高品質材料與精密加工工藝，使用壽命長，維護成本低。

5. 安全可靠：配備真空度異常報警、過溫保護、過流保護等多重安全保護機制，確保實驗過程的安全性與設備的穩定運行。

五、總結

日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S以其精準的控制能力、穩定的性能表現與廣泛的適配性，成為科研領域薄膜制備的理想設備。無論是基礎材料研究還是高中端器件研發，MSP-1S都能憑借其核心技術優勢，為用戶提供高效、可靠的薄膜沉積解決方案，助力科研人員突破技術瓶頸，推動相關領域的技術創新與發展。